包含內(nèi)埋被動組件的封裝基闆

包含整合形成的被動元器(qì)件--如電(diàn)感器(qì)，電(diàn)容器(qì)，保險絲以及電(diàn)阻器(qì)的封裝基闆埋入技(jì)術(shù)整合電(diàn)容電(diàn)感為(wèi)濾波器(qì)技(jì)術(shù)開(kāi)發

內(nèi)埋主動組件的擴散式封裝

提供下面設計(jì)特色的埋入式芯片封裝技(jì)術(shù)
單芯片擴散式封裝
多(duō)芯片封裝
系統單芯片封裝
多(duō)層RDL布線
芯片背面厚銅以提供較佳的散熱
薄型封裝 (低(dī)至200um的封裝高(gāo)度)

最前沿的low loss材料的封裝基闆

與業界最前沿的材料同步導入工藝生(shēng)産，為(wèi)客戶的高(gāo)頻應用需求提供最新與最佳的選擇

超精細Interposer産品

供下面設計(jì)特色的超精細的interposer解決方案:
中心距100um以下各種表面處理(lǐ)的銅Bump,
Bump PAD 小(xiǎo)于50微米;
Bump下的孔35um,
FINE-LINE 8/8 微米

Cavity技(jì)術(shù)

利用ACCESS的獨特PILLAR技(jì)術(shù), 開(kāi)發帶有(yǒu)CAVITY設計(jì)的封裝基闆的各種解決方案.

各種表面處理(lǐ)完成的銅凸點

100微米或以下中心距的各種表面處理(lǐ)的銅Bump, 包含抗氧化膜, 沉鎳钯金, 沉錫/電(diàn)鍍錫等Tin Cap 的銅Bump.

高(gāo)端數(shù)字芯片應用領域的FCCSP, FCBGA無芯封裝基闆

每層都适應下面設計(jì)準則:
線粗/線隙: 15/15um,
導通(tōng)孔直徑: 40um 甚至更小(xiǎo),
絕緣層厚度: 25um甚至更小(xiǎo)